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基于子域法的游標混合電機電磁性能解析計算

來源: 樹人論文網(wǎng)發(fā)表時間:2019-11-11
簡要:摘要:針對游標混合電機(VHM)設(shè)計時難以實現(xiàn)快速準確的電機磁場求解問題,提出采用子域法推導游標混合電機的解析分析模型,實現(xiàn)電機磁場和電磁性能的快速準確計算。根據(jù)電機結(jié)

  摘要:針對游標混合電機(VHM)設(shè)計時難以實現(xiàn)快速準確的電機磁場求解問題,提出采用子域法推導游標混合電機的解析分析模型,實現(xiàn)電機磁場和電磁性能的快速準確計算。根據(jù)電機結(jié)構(gòu)和各部分電磁特性,將電機求解區(qū)域劃分為定子槽、定子槽口、永磁體(PM)、氣隙和轉(zhuǎn)子槽5個子域,根據(jù)各子域磁場偏微分方程和矢量磁位通解,結(jié)合邊界條件求解各子域矢量磁位,計算氣隙磁密、磁鏈、反電勢(EMF)、齒槽轉(zhuǎn)矩和電磁轉(zhuǎn)矩。研究定轉(zhuǎn)子槽寬對轉(zhuǎn)矩脈動和平均轉(zhuǎn)矩的影響,在不減小平均轉(zhuǎn)矩的情況下,得到削弱轉(zhuǎn)矩脈動的定轉(zhuǎn)子槽寬組合。設(shè)計制造一臺樣機,實驗結(jié)果驗證了解析模型的正確性。

  關(guān)鍵詞:游標混合電機;子域法;矢量磁位;邊界條件;有限元法

電機與控制應用

  《電機與控制應用》(月刊)創(chuàng)刊于1959年,由上海電器科學研究所(集團)有限公司主辦。為電機行業(yè)的技術(shù)性刊物。

  0引言

  游標混合電機(vernier hybrid machine, VHM)是一種新型的雙凸極電機,其永磁體位于定子內(nèi)表面,繞組安放于定子槽內(nèi),轉(zhuǎn)子鐵心上只有調(diào)制齒,不安放繞組。VHM具有高轉(zhuǎn)矩密度和優(yōu)秀的低速大轉(zhuǎn)矩輸出能力,散熱性能好,轉(zhuǎn)子結(jié)構(gòu)簡單可靠,適用于風力發(fā)電、潮汐發(fā)電和電動汽車等領(lǐng)域。

  相關(guān)文獻對VHM的結(jié)構(gòu)和性能分析方法進行了分析與研究。通過分析VHM拓撲結(jié)構(gòu)與工作原理,發(fā)現(xiàn)VHM難以同時兼顧高轉(zhuǎn)矩密度和高功率因數(shù)。將傳統(tǒng)游標混合電機的表面式磁極改為內(nèi)置V字型,并在定子槽內(nèi)增加勵磁繞組,能夠提高磁場調(diào)節(jié)能力。在旋轉(zhuǎn)VHM的基礎(chǔ)上,設(shè)計了單初級和雙初級的VHM直線電機,提出了通過磁鏈、電流和位置數(shù)據(jù)預測電機性能的方法。采用直流偏置正弦電流控制游標混合電機,能夠提高電機的轉(zhuǎn)矩密度、功率因數(shù)和效率,擴大電機恒功率運行區(qū)域。

  目前,游標混合電機的分析方法主要為有限元法。有限元法可以充分考慮鐵心飽和、端部效應和漏磁等問題,求解精度高,但是計算時間長,建模復雜。作為一種解析分析方法,子域法具有計算時間短和計算精度較高等優(yōu)點,已被用于表面式永磁同步電機和游標電機的磁場計算。本文采用子域法對VHM進行建模與分析,根據(jù)電機各部分電磁特性,將求解區(qū)域分解為多個子域,基于各子域的磁場偏微分方程和矢量磁位通解,根據(jù)各個子域交接處的邊界條件求解得到各子域矢量磁位,并基于磁場進行電機性能計算。

  1VHM工作原理

  圖1為VHM電機模型,永磁體和三相繞組都位于定子上。永磁體位于定子齒表面,箭頭指向為永磁體的磁化方向。轉(zhuǎn)子為開槽鐵心,無繞組。

  VHM的工作原理為磁場調(diào)制理論。定子永磁體的磁動勢基波為

  F=Fpmsin(Qpmθ+θ0)。(1)

  式中:Fpm為永磁體磁動勢基波幅值;Qpm為永磁體基波磁動勢極對數(shù);θ為機械角度;θ0為相位角。

  由于轉(zhuǎn)子的旋轉(zhuǎn),氣隙磁導會發(fā)生周期性的變化,當轉(zhuǎn)子沿逆時針方向旋轉(zhuǎn)時,只考慮恒定值和基波,可將其表示為

  Λ=Λ0+Λmsin(Qrθ-ωt)。(2)

  式中:Λ0是氣隙磁導恒定值;Λm為氣隙磁導基波幅值;Qr為轉(zhuǎn)子齒數(shù);ω為轉(zhuǎn)子旋轉(zhuǎn)角速度;t為時間。

  氣隙磁密徑向分量可以表示為

  Br=FΛ=FpmΛ0sin(Qpmθ+θ0)+

  FpmΛm2{cos[(Qpm-Qr)θ+θ0+ωt]-

  cos[(Qpm+Qr)θ+θ0-ωt]}。(3)

  氣隙磁密主要包含3個分量,第1項是靜止分量,極對數(shù)為永磁體磁動勢基波磁極數(shù)Qpm;第2項是極對數(shù)為|Qpm-Qr|的旋轉(zhuǎn)分量,若(Qpm-Qr)為正值,則該分量轉(zhuǎn)向和轉(zhuǎn)子運動方向相反,若為負值,則轉(zhuǎn)向和轉(zhuǎn)子運動方向相同;第3項是極對數(shù)為(Qpm+Qr)的旋轉(zhuǎn)分量,轉(zhuǎn)向和轉(zhuǎn)子運動方向相同。兩旋轉(zhuǎn)分量會在電樞繞組中感應出交變磁鏈,轉(zhuǎn)子旋轉(zhuǎn)一周,磁鏈變化周期數(shù)等于轉(zhuǎn)子槽數(shù)。

  2子域劃分與矢量磁位通解

  根據(jù)VHM結(jié)構(gòu),求解區(qū)域可以被分為5個子域,分別為氣隙、永磁體、定子槽口、定子槽和轉(zhuǎn)子槽。子域劃分和各子域主要結(jié)構(gòu)尺寸如圖1和圖2所示。

  在子域I(氣隙)內(nèi),矢量磁位AI滿足拉普拉斯方程:

  2AIr2+1rAIr+1r22AIθ2=0。(4)

  其通解可表示為

  AI=∑k{[A1(rRm)k+B1(rRr)-k]cos(kθ)+

  [C1(rRm)k+D1(rRr)-k]sin(kθ)}。(5)

  在子域Ⅱ,對于徑向充磁永磁體,磁化強度Mr可表示為

  Mr=∑kMrkcos(kθ)。(6)

  子域內(nèi)矢量磁位AII滿足泊松方程:

  2AIIr2+1rAIIr+1r22AIIθ2=-μ0r∑kkMrksin(kθ)。(7)

  式中μ0為真空磁導率。

  其通解可表示為

  AII=∑k{[A2(rRs)k+B2(rRm)-k]cos(kθ)+

  [C2(rRs)k+D2(rRm)-k+μ0rkMrkk2-1]sin(kθ)}。(8)

  在子域III(定子槽口)內(nèi),矢量磁位AIIIi滿足拉普拉斯方程,其通解可表示為

  AIIIi=C30+D30lnr+∑m[C3i(rRt)Fm+

  D3i(rRs)-Fm]cos[Fm(θ-θi+α0/2)]。(9)

  式中Fm=mπ/α0。

  在子域IV(定子槽)內(nèi),由于槽內(nèi)導體中存在電流密度Ji,對其進行傅立葉分解,表達式為

  Ji=Ji0+∑nJincos[En(θ-θi+αa/2)]。(10)

  其中:

  Ji0=1αa∫θi+αa/2θi-αa/2Jidθ, (11)

  Jin=2αa∫θi+αa/2θi-αa/2Jicos[En(θ-θi+αa/2)]dθ。(12)

  式中En=nπ/αa。

  該子域內(nèi)矢量磁位AIVi滿足泊松方程:

  2AIVir2+1rAIVir+1r22AIViθ2=-μ0Ji。(13)

  其通解可表示為

  AIVi=C40+μ0Ji04(2R2sblnr-r2)+

  ∑n{D4i[G1(rR2sb)En+(rRt)-En]+

  μ0JinE2n-4[r2-2R2sbEn(rRsb)En]}×

  cos[En(θ-θi+αa/2)]。(14)

  式中G1=(Rt/Rsb)En。

  在子域V(轉(zhuǎn)子槽)內(nèi),矢量磁位AVj滿足拉普拉斯方程,其通解可表示為

  AVj=C50+∑mD5j[(rRrb)Gm+(rRrb)-Gm)×

  cos[Gm(θ-θj+αra/2)]。(15)

  式中Gm=mπ/αra。

  3邊界條件與未知系數(shù)求解

  在5個子域的矢量磁位通解表達式中,系數(shù)A1、B1、C1、D1、A2、B2、C2、D2、C3i、D3i、C30、D30、D4i、C40、D5j和C50為未知系數(shù),需要結(jié)合相鄰子域的邊界條件,即矢量磁位連續(xù)和磁場強度切向分量連續(xù),建立包含未知系數(shù)的方程組,進行求解。

  在子域I(氣隙)和子域II(永磁體)的交界面(r=Rm)上,矢量磁位A和磁場強度的切向分量Hθ滿足邊界條件:

  AI(Rm,θ)=AII(Rm,θ),

  HIθ(Rm,θ)=HIIθ(Rm,θ)。 (16)

  從而可得:

  A1+B1(RmRr)-k-A2(RmRs)k-B2=0, (17)

  C1+D1(RmRr)-k-C2(RmRs)k-D2=μ0Rmkk2-1Mrk, (18)

  μr[A1-B1(RmRr)-k]-A2(RmRs)k+B2=0, (19)

  μr[C1-D1(RmRr)-k]-C2(RmRs)k+D2=μ0Rmk2-1Mrk。(20)

  在子域II(永磁體)和子域III(定子槽口)的交界面(r=Rs)上,邊界條件為:

  AII(Rs,θ=θi±α0/2)=AIIIi(Rs,θ=θi±α0/2),

  HIIθ(Rs,θ=θi±α0/2)=HIIIiθ(Rs,θ=θi±α0/2)。

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